DRV8300 게이트 드라이버

TI의 게이트 드라이버 DRV8300의 특성은 다음과 같다.

 

특성	값
소스 전류	750mA
싱크 전류	1.5A
전원 전압 GVDD	5~20V
MOSFET 최대 전압	100V
PWM 주파수	200kHz
DRV8300D/DI 타입의 부트 스트립 캐패시터	1uF
로직 입력 전압 (INL,INH)	L : 0.8V H : 2.0V
로직 입력 전압 (Mode)	L : 0.6V H : 3.7V
내부 풀업/풀다운 저항	200kΩ
Dead Time	200ns VQFN 패캐지는 변경가능

 

DRV8300의 종류는 다음과 같다. 

 

 

D는 다이오드가 내장되어 있고 N은 외부에 다이오드를 달아야 한다. I는 Low side 입력이 인버팅되어 있다.

 

VQFN 패캐지에는 Mode와 Dead time 핀이 있고 TSSOP 패캐지에는 이 2핀이 없다.

 

DRV8300D의 내부 구조는 다음과 같다.

 

 

인버팅 버전에서 Dead Time (DT)은 다음과 같이 자동으로 생성된다.