MOSFET 게이트 드라이버 회로 해석

BJT로 구현된 MOSFET 게이트 드라이버 회로는 다음과 같다.

 

 

Q4가 OFF

Q4가 OFF일때 Q4의 콜렉터(3번핀)에 걸리는 전압은 다음과 같다.

     V_C ∽ (Vdrive - 0.7) x 10k / (10k + 1k) + 0.7

 

Q6의 베이스에 흐르는 전류는 다음과 같고 Q6가 ON 된다.

    I_B = (V_C - 0.7) / 10k

 

이 때 R12 양단의 전압은 다음과 같다.

     V_R12 = Vdrive - V_C - 0.7

 

R12에 흐르는 전류는 다음과 같다.

     I_R12 = (Vdrive - V_C - 0.7) / 10k

 

R12에 흐르는 전류는 Q5의 에미터-베이스와 같다. 이 베이스 전류에 의해 Q5의 에미터-콜렉터 전류가 Q6을 거쳐 그라운드로 흐른다.

 

Q5의 에미터-콜렉터 전류가 크면 손실이 커지고 Q5와 Q6이 고장날 수 있다.

 

Q4가 ON

Q4가 ON일때 Q4의 콜렉터(3번핀)에 걸리는 전압은 0V이다.

 

Q5의 베이스에 흐르는 전류는 다음과 같다.

     I_B = (Vdrive - 0.7) / 10k

 

Q5는 ON되고 Q6은 OFF된다.

 

R11에 흐르는 전류는 다음과 같다. 전류가 R11 정격을 넘지 않아야 한다.

    I_R11 = Vdrive / 1k