IGBT

IGBT

IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)

 

 

BJT는 Base-Collector-Emitter이고 MOSFET은 Gate-Drain-Source이다.

 

IGBT를 병렬 연결할 수 없는 이유

MOSFET 드레인-소스 사이의 턴온 저항의 온도에 따른 특성은 다음 그래프와 같다. 온도가 올라갈 수록 턴온 저항이 증가한다. 따라서, MOSFET을 병렬로 연결하면 더 많은 전류가 흐르는 MOSFET의 턴온 저항이 증가하여 전류가 더 증가되는 것을 막고 다른 MOSFET의 전류가 증가한다. 이러한 과정으로 2개의 MOSFET에 균일한 전류가 흐르게 된다.

 

MOSFET

 

IGBT 콜렉터-에미터 사이의 세튜에이션 전압의 온도에 따른 특성은 다음 그래프와 같다. IGBT는 온도가 올라갈수록 콜렉터-에미터 세튜에이션 전압이 감소한다. IGBT을 병렬로 연결하면 전류가 많이 흐르는 IGBT에서 더 많은 전류가 흐르고 다른 IGBT로 전류가 분배 되지 않는다. 이러한 이유로 IGBT는 병렬로 연결할 수 없다.

 

IGBT