플래시 메모리 원리

플래시 메모리(Flash Memory)는 Floating-gate 트랜지스터를 사용하여 데이터를 저장한다. Floating-gate 트랜지스터는 일반 MOSFET과 비슷하지만 다음 그림과 같이 게이트가 2개로 구성되어 있다.

 

아래에 있는 Float Gate는 산화막으로 싸여 있어 한번 전자가 갇히면 쉽게 빠져 나오지 못하고 외부에서 고전압이나 자외선 등의 자극을 주어야 전자가 Float Gate에서 빠져 나온다. Float Gate 내부의 전자 충전 여부에 따라 비트 0 또는 1을 나타낸다.

 

 

Control Gate에 작은 전압을 인가 했을 때 Float Gate에 전자가 충전되어 있다면 N 반도체 사이에 전류가 흐르지 않고 Float Gate에 전자가 없다면 N 반도체 사이에 전류가 흐른다.

 

데이터 저장을 위해 Float Gate에 고전압을 인가 하기 위해 플래시 메모리 내부에  Charge Pump를 내장하고 있고 플래시 메모리 소비 전력의 약 절반은 Charge Pump에서 소비된다. 과거의 EEPROM에서는 데이터를 지우기 위해 높은 전압을 따로 연결 해야 했다.