MOSFET 게이트 드라이버 회로

MOSFET 게이트 드라이버는 보통 전용 IC를 많이 사용하지만 트랜지스터로 직접 만들수도 있다.

 

(1) 주파수가 낮을 때

BJT로 구현된 MOSFET 게이트 드라이버 회로는 다음과 같다.

 

 

Vdrive는 +12~15V를 사용한다.

 

위 회로는 MOSFET를 ON할 때 MOSFET 게이트 캐패시터 충전에 의한 시간 지연이 발생한다. 그래서, MOSFET 스위칭 주파수가 높을 때는 이 회로를 사용할 수 없다.

 

※ R3, R5의 저항값이 낮기 때문에 전류가 저항 정격을 넘을 수 있다. 그 때는 R3, R5, R4의 저항값을 모두 조금씩 올린다.

 

(2) 주파수가 높을 때

MOSFET 스위칭 주파수가 수십 kHz로 높다면 다음과 같은 회로를 사용해야 한다.

 

 

※ R11의 저항값이 낮기 때문에 전류가 저항 정격을 넘을 수 있다. 그 때는 R11, R12, R13의 저항값을 모두 조금씩 올린다.

 

☞ 게이트 드라이버 회로 해석