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전자1643

PCB 동박 두께 PCB 동박 두께는 1/2 oz, 1 oz, 2 oz 등이 있다. oz (온스)는 무게 단위로 구리의 무게를 나타낸다. 1 oz 두께란 구리 1 oz를 가로 세로 1피트 면적의 PCB에 덮었을 때의 구리 두께로 약 34.79 μm이다. 2 oz는 두께가 2배가 되고 1/2 oz는 두께가 절반이 된다. 1/2 oz를 Hoz로 나타내기도 한다. 동박 두께가 두꺼워지면 패턴 사이 간격이 넓어져야 한다. 동박 두께에 따른 패턴간 최소 거리는 다음과 같다. 1 oz 0.089 mm 2 oz 0.203 mm 3 oz 0.254 mm 4 oz 0.355 mm 2021. 2. 2.
CAN 통신 전압 레벨 CAN 통신 Spec에는 Recessive와 Dominant 2종류 신호가 있다는 것만 있고 구체적인 물리적인 상태에 대해서는 정의하고 있지 않다. CAN 통신 IC마다 전압은 조금씩 다르다. TI의 SN65HVD233의 전압은 다음과 같다. 다른 IC에서는 Dominant 3.5V~1.5V, Recessive 2.5V를 사용하기도 한다. 2021. 2. 1.
7406 오픈 콜렉터 로직 TI의 SN7406은 다음 그림과 같은 TTL 구조의 오픈 콜렉터 NOT 게이트이다. 출력단 최대 전압은 30V이다. TI의 SN74LS06은 다음 그림과 같은 TTL 구조의 오픈 콜렉터 NOT 게이트이다. 출력단 최대 전압은 30V이다. Nexperia의 74HC05는 다음과 같이 CMOS 구조의 오픈 에미터 NOT 게이트이다. 출력단에 VCC보다 높은 전압을 연결할 수 없다. Nexperia의 74LVC06A는 다음과 같이 CMOS 구조의 오픈 에미터 NOT 게이트이다. 출력단 최대 전압은 6.5V이다. 2021. 1. 31.
CMOS NMOS PMOS 차이 CMOS는 p 채널 MOSFET과 n 채널 MOSFET을 사용하여 만든 로직을 의미한다. NMOS는 n 채널 MOSFET을 사용하여 만든 로직을 의미한다. PMOS는 p 채널 MOSFET을 사용하여 만든 로직을 의미한다. ※ CMOS : Complementary Metal–Oxide–Semiconductor ※ NMOS : N-type Metal-Oxide-Semiconductor ※ PMOS : P-type Metal-Oxide-Semiconductor ☞ CMOS 로직 구조 2021. 1. 31.
Latch-up 이란? Latch-up이란 IC의 파워와 그라운드 사이에 의도하지 않게 낮은 임피던스가 걸리는 현상을 의미한다. 전원단에 낮은 임피던스가 걸리면 큰 전류가 흐르고 이 현상이 지속되면 IC가 고장난다. 보통 Latch-up을 풀려면 전원을 다시 껐다 켜야한다. CMOS 구조에서 N형과 P형 실리콘의 조합은 의도하지 않은 BJT가 형성될 수 있다. 다음 그림과 같이 CMOS는 PFET와 NMOS로 구성되는데 BJT는 의도하지 않게 형성된다. 이러한 BJT는 Thyristor와 비슷하게 동작하여 파워와 그라운드 사이에 큰 전류가 흐르는 문제를 발생시킨다. 2021. 1. 31.
74HC14 히스테리시스 입력 특성 Schmitt Trigger IC인 74HC14의 히스테리시스 입력 전압은 다음과 같다. 입력전압이 상승할 때는 2.38V에서 동작하고 하강할 때는 1.4V에서 동작한다. 2021. 1. 30.
디지털 IC 출력 소비 전력 디지털 IC에 캐패시터가 연결되어 있을 때 캐패시터가 충전과 방전을 하면 전력이 소비된다. 캐패시터를 통해 소비되는 전력 P는 다음과 같다.여기서, C는 캐패시터 값, V는 전압, f는 주파수이다. 예를들면, 5V 전압, 50pF 캐패시터, 주파수가 1MHz일 때 소비되는 전력은 0.00125W이다. 3.3V 전압, 470pF 캐패시터, 주파수가 1MHz일 때 소비되는 전력은 0.0051W이다. 2021. 1. 30.
디지털 IC 최대 출력 전류 디지털 IC의 핀 당 최대 출력 전류는 35mA이다. 하지만 전원의 최대 전류가 70mA이기 때문에 모든 핀에서 동시에 35mA를 출력할 수는 없다. 8 포트 IC라면 핀당 최대 8.75mA(=70mA / 8)를 동시에 출력할 수 있다. 2021. 1. 30.
HC 로직 입력 전압 레벨 HC 로직 IC의 입력 전압 레벨은 다음과 같다. VCC가 4.5V일 때 High 전압은 2.4V이고 Low 전압은 2.1V이다. 2021. 1. 30.
디지털 IC의 Fanout Fanout이란 디지털 IC에서 한개의 로직 출력에 연결될 수 있는 입력 개수를 의미한다. TTL은 입력단에 유입되는 전류가 크기 때문에 출력의 전류와 입력의 전류의 비가 fanout이 된다. CMOS에서는 입력단에 유입되는 전류가 거의 없기 때문에 전류에 의한 fanout은 무한대라고 볼 수 있다. 하지만, CMOS의 입력단에 약 10pF의 기생 캐패시터가 있고 CMOS 출력단에 직접 연결될 수 있는 캐패시턴스는 최대 약 500pF이다. 그래서, CMOS의 fanout은 약 50개이다. CMOS에 출력에 연결되는 입력 개수가 많아지면 상승시간이 증가하고 지연이 발생할 수 있다. 2021. 1. 30.
RS-232 25핀 배열 RS-232 25핀 Male 커넥터의 핀배열은 다음과 같다. 핀 기능 2 TXD 3 RXD 4 RTS 5 CTS 6 DSR 7 GND 8 DCD 20 DTR 22 RI Female 커넥터는 좌우가 바뀐다. 2021. 1. 30.
Quadrant와 Quadrature 뜻 Quadrant는 사분면이라는 뜻이다. Quadrant I은 1사분면, Quadrant II은 2사분면, Quadrant III은 3사분면, Quadrant IV은 4사분면을 의미한다. Quadrature는 전자공학에서 직각위상이라는 뜻이다. Quadrature 성분은 직각위상 성분을 의미한다. Quadrature 엔코더는 90도 위상차이가 나는 신호를 출력하는 엔코더이다. ☞ Quadrature 엔코더 2021. 1. 30.
Call Stack 이란? Call Stack이란 프로그램에서 호출된 함수에 관한 정보를 담고 있는 스택이다. Program stack이라고도 한다. TI의 CCS에서는 Debug 창에 Call stack이 있고 대부분의 개발환경에서 Call stack을 볼 수 있다. 2021. 1. 29.
DSP의 ESTOP0 명령어 ESTOP0는 에뮬레이터를 중지하는 명령어이다. ESTOP0을 만나면 CCS에서 중지된다. 인터럽트 루틴에 있는 다음과 같은 코드는 에뮬레이터를 중지시키고 만약 에뮬레이터가 연결되어 있지 않다면 다음 문장인 무한 for 문을 실행한다. asm (" ESTOP0"); for(;;); 2021. 1. 29.
안테나에 흐르는 전류 안테나에는 고주파의 전압이 인가된다. 이 때 안테나에는 같은 주파수의 고주파 전류가 흐른다. 다이폴 안테나의 전류 분포는 여기에서와 같다. 다이폴 안테나 양단은 다음 그림과 같이 캐패시턴스 성분이 있다고 생각할 수 있다. 단순한 캐패시터 회로와 달리 안테나에서는 Propagation delay에 의해 전압과 전류가 같은 위상을 가진다. 그에 따라 전력을 소비하게 된다. 이것을 Radiation Resistance라고 한다. 안테나에서 소비되는 전력은 전자파 형태로 공중으로 방출된다. 2021. 1. 28.
디지털 로직 출력 충돌 다음과 같은 디지털 로직에서 A와 B에서 모두 High라면 a에서는 High가 된다. A가 High이고 B가 Low라면 a는 High와 Low의 중간 정도의 전압이 된다. 2021. 1. 28.
Voltage Reference 전자부품 Voltage Reference는 일정한 전압을 출력하는 전자 소자를 의미한다. Voltage Reference는 매우 정밀한 전압을 출력하며 전원 변동이나 온도 변화 또는 시간에 따른 전압의 변동의 매우 적은 소자이다. 예를 들면 TI의 REF3020는 2.048V 전압을 출력하고 정밀도는 0.2%이며 온도 계수는 50ppm/℃ 이다. REF3020은 다음 그림과 같이 Vin에 전원을 연결하면 Vout으로 Reference 전압 2.048V 전압이 출력된다. Bandgap Voltage을 이용한 Voltage Reference가 가장 많이 사용된다. 2021. 1. 27.
트랜지스터 포화 전류 다음과 같은 PNP 트랜지스터와 저항 회로가 있다. 베이스 전류를 제어하여 트랜지스터를 도통시키거나 차단시킨다. 위와 같은 회로의 트랜지스터 에미터-콜렉터 전압과 전류 특성은 다음 그래프와 같다. 트랜지스터가 차단되었을 때는 B 위치에 있고 도통되면 A 위치로 이동한다. 트랜지스터가 도통 상태에서 저항 R이 감소하면 위의 직선 그래프의 Y절편이 증가하여 흐르는 전류가 증가한 후 일정한 값을 유지한다. 저항이 없는 쇼트 상태가 되어도 트랜지스터에 흐르는 전류는 포화되어 일정한 값 이상을 넘지 않는다. 2021. 1. 26.
Op-amp 출력 단락 전류 Op-amp의 단락 전류(Short Circuit Current)는 출력단이 그라운드에 직접 연결되어 단락되었을 때 출력되는 최대 전류이다. 보통 25~40mA 정도이다. 단락 상태가 지속되면 Op-amp의 온도가 올라가고 그에 따라 Op-amp가 고장날 수도 있고 고장나지 않을 수도 있다. LM2902 데이트시트에는 출력핀이 그라운드에 계속 단락되어 있어도 고장나지 않는다고 나와 있고 출력핀이 VCC에 단락되면 열이 많이 나고 계속 지속되면 고장난다고 나와있다. 2021. 1. 26.
DA 컨버터 R-2R 래더 방식 DAC(Digital-to-Analog Converter) 중에서 R-2R 래더 방식의 회로는 다음 그림과 같다. 스위치 온/오프에 따라 전체 저항값이 달라지고 그에 따라 출력되는 전압이 변화한다. 위 회로의 출력 전압은 다음 식과 같다. V0 = Vref × (RF / R) [ b1/21 + b2/22 + b3/23 + b4/24 ] ☞ 간단한 DAC 구현 회로 2021. 1. 26.
전압 레귤레이터 저항 설정 다음과 같은 전압 레귤레이터에서 출력전압은 저항 분압으로 피드백 받는다. 저항 분압 회로의 표준저항값은 다음과 같다. 예를 들면, Vref가 1.213인 레귤레이터에서 3.3V 출력을 내기 위해서는 R1에 620k R2에 360k 저항을 사용한다. 이 때 실제 출력되는 전압은 3.302V이다. Vref Vout R1 R2 Real Vout Error [%] 1.213 3.3 620 360 3.302 0.062 1.213 5 7.5 2.4 5.004 0.073 1.213 10 13 1.8 9.974 -0.264 1.213 12 16 1.8 11.995 -0.040 1.213 15 18 1.6 14.859 -0.938 1.25 3.3 1.8 1.1 3.295 -0.138 1.25 5 3 1 5.000 0.0.. 2021. 1. 25.
마이너스 전압 레귤레이터 회로 플러스 전압으로 마이너스 전압을 생성하는 Negative boost 회로는 다음 그림과 같다. 트랜지스터가 ON 되면 인덕터 L을 통해 전류가 흐른다. 트랜지스터가 OFF 되면 다이오드 D를 통해 전류가 흐른다. 이 때 캐패시터 C에는 마이너스 전압이 걸린다. Boost 회로 원리 2021. 1. 25.
PWM 신호 주파수 성분 크기 PWM 신호의 주파수 성분은 다음 식과 같다. 위 식에서 V가 1이고 D가 0.5일 때 n에 따른 주파수 성분의 크기는 다음과 같다. n D 주파수 성분 n D 주파수 성분 n D 주파수 성분 DV 0.5 0.500 1 0.5 0.637 31 0.5 -0.021 61 0.5 0.010 2 0.5 0.000 32 0.5 0.000 62 0.5 0.000 3 0.5 -0.212 33 0.5 0.019 63 0.5 -0.010 4 0.5 0.000 34 0.5 0.000 64 0.5 0.000 5 0.5 0.127 35 0.5 -0.018 65 0.5 0.010 6 0.5 0.000 36 0.5 0.000 66 0.5 0.000 7 0.5 -0.091 37 0.5 0.017 67 0.5 -0.010 8 0.5.. 2021. 1. 24.
사용하지 않는 디지털 입력 핀 처리 로직 IC, MCU 등의 디지털 입력 핀은 그냥 두지 않고 전원이나 그라운드에 연결해야 한다. 디지털 입력 핀에 아무 것도 연결되어 있지 않으면 전위가 플로팅된다. 전위가 플로팅되면 다음과 같은 문제가 발생할 수 있다.1. 노이즈가 인가되여 원치않는 동작을 한다.2. ESD와 같은 노이즈가 입력되었을 때 IC 내부가 고장날 수 있다.3. 0이나 1이 아닌 값이 입력되어 디지털 로직이 리니어 영역에서 동작할 수 있다. 이렇게 되면 IC의 동작 전류가 증가하고 발열이 생길 수 있고 심하면 고장날 수도 있다. 2021. 1. 24.
NTC 특성 곡선 NTC의 온도에 따른 저항은 다음과 같다. 25도일 때 10kΩ이고 온도가 올라갈수록 저항은 줄어든다. 온도 저항 온도 저항 온도 저항 온도 저항 온도 저항 온도 저항 -20 68237 1 26076 21 11628 41 5636 61 2922 81 1622 -19 64991 2 24988 22 11195 42 5445 62 2834 82 1578 -18 61919 3 23951 23 10779 43 5262 63 2748 83 1535 -17 59011 4 22963 24 10382 44 5086 64 2666 84 1493 -16 56258 5 22021 25 10000 45 4917 65 2586 85 1452 -15 53650 6 21123 26 9634 46 4754 66 2509 -14 511.. 2021. 1. 23.
0옴 저항의 정격 전류 0옴 저항에 흐를 수 있는 정격전류와 최대전류는 다음과 같다. 크기 정격전류 최대전류1005 1.0A 2.0A1608 1.0A 2.0A2012 2.0A 5.0A3216 2.0A 10.0A3246 6.0A 10.0A 2021. 1. 23.
캐패시터의 정격 전류 캐패시터에는 정격 정류가 없고 Ripple 전류가 있다. 1uF 50V 세라믹 캐패시터의 데이트시트에 나와 있는 Ripple 전류에 따른 온도 상승은 다음과 같다. 캐패시턴스 값이 작은 캐패시터에는 흐르는 전류가 매우 작기 때문에 데이트시트에 Ripple 전류 특성이 나와있지 않다. 2021. 1. 23.
Murata 툴 Murata의 SimSuring은 부품 특성 뷰어 또는 디자인 툴이다.Murata SimSurfing 2021. 1. 22.
전압에 따른 캐패시터 값 변화 세라믹 캐패시터에 걸리는 DC 전압에 따라 캐패시터 값은 크게 변화한다. 10uF 10V 세라믹 캐패시터의 DC 전압에 따른 캐패시터 값은 다음 그림과 같다. 전압이 5V일때 5uF까지 떨어지고 10V가 되면 2uF까지 떨어진다. DC 전압에 따른 캐패시터 값의 변화는 캐패시터 종류 또는 제조사 또는 크기 등에 따라 모두 다르다. 정확한 것은 각 캐패시터의 제조사 데이터시트를 봐야 한다. 일반적으로 패캐지 크기가 커질수록 전압에 따른 캐패시터 값 변화가 더 적어진다. 동일한 정격전압와 용량의 캐패시터라도 1608보다 2012 사이즈의 캐패시터가 DC 전압에 따른 값 변화가 적다. 2021. 1. 22.
MSP430 전압와 클럭 주파수 MSP430의 코어 전압은 PMM에서 변경할 수 있다. PMMCOREV=0 이면 코어 전압이 가장 낮고 PMMCOREV=3 이면 전압이 가장 높다. 디폴터는 PMMCOREV=0 이다. 클럭 속도도 설정할 수 있는데 클럭 속도가 높아지면 코어 전압을 높여야 한다. 그렇지 않으면 정상적으로 동작하지 않는다. 클럭 속도가 높아지고 코어 전압이 높아지면 소비 전력이 증가한다. 아래 그래프에서 0,1,2,3은 설정가능한 PMMCOREV 값이고 X 축은 공급 전압이고 Y 축은 클럭 주파수이다. 예를 들면, 공급 전압 +3.3V에서 8MHz로 동작한다면 코어 전압 설정 PMMCOREV은 0~3 모두가 가능하다. 이 때 25MHz로 동작시키기 위해서는 코어 전압 설정 PMMCOREV을 3으로 해야 한다. MSP430는.. 2021. 1. 22.
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